-
Kerámia alkatrészek félvezető szondás berendezésekhez
A hidegizosztatikus sajtolással előállított, magas hőmérsékleten szinterezett, majd precíziósan megmunkált és polírozott kerámia alkatrészek kopásállóságuknak, korrózióállóságuknak, alacsony hőtágulásuknak és szigetelésüknek köszönhetően megfelelnek a félvezető berendezésekkel szemben támasztott szigorú követelményeknek. A kerámiák sokféle félvezetőgyártó berendezésben hosszú ideig használhatók magas hőmérsékleten, vákuumban vagy korrozív gázok jelenlétében.
Nagy tisztaságú alumínium-oxid porból készül, hideg izosztatikus préseléssel, magas hőmérsékletű szintereléssel és precíziós kidolgozással, elérheti a ±0,001 mm-es mérettűrést, Ra 0,1 felületkezelést és 1600 ℃ hőmérséklet-állóságot.
-
Kerámia lemez félvezető berendezés hordozó
A hidegizosztatikus sajtolással előállított, magas hőmérsékleten szinterezett, majd precíziósan megmunkált és polírozott kerámia alkatrészek kopásállóságuknak, korrózióállóságuknak, alacsony hőtágulásuknak és szigetelésüknek köszönhetően megfelelnek a félvezető berendezésekkel szemben támasztott szigorú követelményeknek. A kerámiák sokféle félvezetőgyártó berendezésben hosszú ideig használhatók magas hőmérsékleten, vákuumban vagy korrozív gázok jelenlétében.
Nagy tisztaságú alumínium-oxid porból készül, hideg izosztatikus préseléssel, magas hőmérsékletű szintereléssel és precíziós kidolgozással, elérheti a ±0,001 mm-es mérettűrést, Ra 0,1 felületkezelést és 1600 ℃ hőmérséklet-állóságot.
-
Félvezető berendezések kerámia alkatrészek
A hidegizosztatikus sajtolással előállított, magas hőmérsékleten szinterezett, majd precíziósan megmunkált és polírozott kerámia alkatrészek kopásállóságuknak, korrózióállóságuknak, alacsony hőtágulásuknak és szigetelésüknek köszönhetően megfelelnek a félvezető berendezésekkel szemben támasztott szigorú követelményeknek. A kerámiák sokféle félvezetőgyártó berendezésben hosszú ideig használhatók magas hőmérsékleten, vákuumban vagy korrozív gázok jelenlétében.
Nagy tisztaságú alumínium-oxid porból készül, hideg izosztatikus préseléssel, magas hőmérsékletű szintereléssel és precíziós kidolgozással, elérheti a ±0,001 mm-es mérettűrést, Ra 0,1 felületkezelést és 1600 ℃ hőmérséklet-állóságot.
-
Nagy tisztaságú alumínium-oxid kerámia tömítőgyűrű magas hőmérsékletű kamratömítéshez
A St.Cera kerámia tömítőgyűrűjét a polimer O-gyűrűk alternatívájaként tervezték extrém környezetekben, ahol az elasztomerek lebomlanak. 99,8%-ban nagy tisztaságú alumínium-oxidból (Al₂O₃) készült, ez a merev tömítőgyűrű statikus tömítési alkalmazásokban használatos – jellemzően lágy fém vagy grafit tömítéssel párosítva –, hogy megbízható vákuum- vagy gázzárást biztosítson akár 800°C hőmérsékleten, valamint agresszív plazma- vagy kémiai környezetben. Az anyag nulla gázkibocsátást, nagy nyomószilárdságot (alap hajlítószilárdság 361 MPa) és kémiai inertséget kínál (ellenáll a halogéneknek, savaknak és lúgoknak, kivéve a HF-et). A precíziósan leppelt tömítőfelületek (síkság ≤5 μm, felületi érdesség Ra ≤0,2 μm) biztosítják a szivárgásmentes érintkezést az illeszkedő fém vagy kerámia alkatrészekkel.
-
Nagy tisztaságú alumínium-oxid kamrás fókuszgyűrű plazmamaratáshoz és CVD rendszerekhez
A St.Cera kamrafókuszgyűrűje kritikus fontosságú folyamatkészlet-alkatrész, amelyet plazmamaratásos, CVD és PVD félvezető berendezésekben használnak. A 99,8%-ban nagy tisztaságú alumínium-oxidból (Al₂O₃) készült gyűrű körülveszi a lapka szélét, hogy korlátozza a plazmát és optimalizálja az ionok szögeloszlását, ezáltal javítva a maratás egyenletességét a lapka felületén. Az anyag kivételes plazmaállóságot, nagy dielektromos szilárdságot (15×10⁶ V/m) és akár 1600°C-ig terjedő hőstabilitást kínál, ami hosszú távú megbízhatóságot biztosít agresszív fluor- vagy klóralapú plazmakörnyezetekben. A precíziósan köszörült belső/külső átmérő és síkfelület (≤10 μm) lehetővé teszi a lapkaszél pontos pozicionálását, csökkentve az élhibákat és a részecskeképződést.
-
Nagy tisztaságú alumínium-oxid kerámia gyűrű CVD / PVD folyamatkamrákhoz
A St.Cera kerámiagyűrűjét kifejezetten CVD (kémiai gőzfázisú leválasztás) és PVD (fizikai gőzfázisú leválasztás) folyamatkamrákban való használatra tervezték. A 99,8%-ban nagy tisztaságú alumínium-oxidból (Al₂O₃) készült gyűrű kamrabélelésként, fókuszgyűrűként vagy folyamatkészlet-alkatrészként szolgál a plazma korlátozására és a kamrafalak erózió elleni védelmére. Az anyag kiváló plazmaállóságot, nagy átütési szilárdságot (15×10⁶ V/m) és akár 1600°C-ig terjedő hőstabilitást kínál, így hosszú élettartamot biztosít agresszív fluor alapú plazmakörnyezetben. A pontos mérettűrések (±0,05 mm belső/külső átmérőn) és síkfelület (≤10 μm) lehetővé teszik az ostya élének egyenletes pozicionálását, javítva a leválasztás egyenletességét és csökkentve a részecskeképződést.
-
Bernoulli kerámia effektor – Érintésmentes szeletkezelés vékony és törékeny szeletekhez
A St.Cera Bernoulli kerámia effektora aerodinamikus emelést használ a waferek fizikai érintkezés nélküli kezeléséhez. Nagy tisztaságú, 99,8%-os alumínium-oxidból (Al₂O₃) vagy szilícium-karbidból (SiC) készült, precíziósan megmunkált fúvókákkal rendelkezik, amelyek nyomás alatti gázt fújnak ki, vékony levegőfilmet hozva létre a wafer és a wafer között. Ez az érintkezésmentes elv kiküszöböli a hátoldali szennyeződést, az él lepattogzását és a felületi károsodást, így ideális vékony (≤100 μm), törékeny vagy vetemedett waferekhez. A kerámia hordozó nagy hajlítószilárdságot (361 MPa Al₂O₃ esetén; akár 550–600 MPa SiC esetén), alacsony tömeget és kiváló méretstabilitást biztosít, biztosítva az ismételhető pozicionálást a nagy sebességű waferátviteli robotokban.
-
Nagy tisztaságú alumínium-oxid kerámia alkatrészek félvezető és ipari alkalmazásokhoz
A St.Cera precíziós megmunkálású alumínium-oxid (Al₂O₃) kerámia alkatrészeket gyárt az ügyfelek specifikációi szerint. A 99,8%-ban nagy tisztaságú alumínium-oxidból készült alkatrészek kiváló hajlítószilárdságot (361 MPa), nagy keménységet (16 GPa) és kiemelkedő átütési szilárdságot (15×10⁶ V/m) biztosítanak. A félvezető berendezésekhez, kopásálló szerelvényekhez, elektromos szigetelőkhöz és magas hőmérsékletű szerelvényekhez tervezett anyag közel nulla vízfelvételt (0%) és 7,2×10⁻⁶/℃ hőtágulási együtthatót kínál, így extrém körülmények között is méretstabilitást biztosít.
-
Porózus kerámia vákuumos tokmány vetemedett ostyák kezeléséhez
A St.Cera porózus kerámia tokmánya nagy tisztaságú alumínium-oxidból készül, egyenletes, 30–45%-os nyitott porozitással és 10–100 μm közötti pórusmérettel. A hagyományos hornyolt tokmányokkal ellentétben a porózus felület elosztott vákuumot biztosít a teljes ostya hátoldalán, hatékonyan megtartva a görbült, vékony vagy egyenetlen ostyákat a szélek felemelése vagy törés nélkül. A gyengéd vákuum (szűkítővel állítható) a hátoldalon történő nyomkodást is megakadályozza.
-
Alumínium-oxid alapú porózus kerámia vákuumos befogó vékony ostyák kezeléséhez
A St.Cera alumínium-oxid alapú porózus tokmánya 99,6%-ban nagy tisztaságú Al₂O₃-ból készül, 30–45%-os szabályozott nyitott porozitással és 10–50 μm közötti egyenletes pórusmérettel. A hornyolt tokmányokkal ellentétben a porózus felület elosztott vákuumot biztosít a teljes ostya hátoldalán, kiküszöbölve az élnyomokat, és lehetővé téve az ultravékony (≤100 μm) vagy görbült ostyák kíméletes befogását. Az anyag ≥250 MPa hajlítószilárdsággal és akár 400 °C-os hőstabilitással rendelkezik levegőn.
-
Alumínium-oxid gázelosztó lemez CVD/PVD zuhanyfejhez
A St.Cera gázelosztó lemeze (zuhanyfeje) precíziós megmunkálással készül, nagy tisztaságú, 99,8%-os alumínium-oxid kerámiából. Mikrofuratokkal (0,3–1,5 mm átmérőjű) rendelkezik, amelyek biztosítják az egyenletes gázáramlást a lapka felületén CVD, PVD vagy ALD eljárások során. A lemez nagy dielektromos szilárdsága (>15×10⁶ V/m) és plazmaellenállása elengedhetetlenné teszi a félvezető vékonyréteg-leválasztáshoz.
-
Kerámia tartócsap félvezető folyamatrögzítőkhöz
A St.Cera kerámia támasztócsapjait (más néven emelőcsapokat vagy támasztócsapokat) félvezető folyamatkamrákban használják waferek vagy szubsztrátok megemelésére kezelés, melegítés vagy hűtés közben. 99,8%-os alumínium-oxidból vagy szilícium-nitridből készült csapok, amelyek nagy nyomószilárdságot, hőstabilitást és vegyi ellenállást biztosítanak. A félgömb alakú vagy lapos hegyű kialakítás megakadályozza a wafer karcolódását.
